芯片行业尽职调查的关键点与知识产权侵权的认定
发布时间：2024-08-02
文 | 丹青 汇业律师事务所 合伙人
在现代电子工业中，芯片（Integrated Circuits，简称IC）作为核心元件，承载了大量的技术创新和研发投入。随着IC产业的快速发展，知识产权保护问题变得愈发重要。在全球范围内，芯片知识产权侵权案件层出不穷，而在中国，随着知识产权保护力度的不断加强，相关案件的审理也日益规范和严格。
近期，笔者注意到咨询有关芯片行业投融资及知识产权侵权案件的需求逐渐增多。为了帮助企业更好地维护自身权益，本文结合实际案例，详细探讨芯片行业尽职调查与知识产权侵权的认定要点和诉讼策略。
案例概括
最高人民法院知识产权法庭曾发布过这起集成电路布图设计侵权案：在（2019）最高法民终490号案件中，原告厦门赛芯电子有限公司（简称赛芯公司）以布图设计专有权纠纷为由将被告准芯微电子（北京）有限公司（简称准芯微公司）诉至法院。赛芯公司主张其设计的芯片布图设计具有独创性，并且被准芯微公司在其生产的芯片中进行了复制。法院最终判决支持了赛芯公司的诉求，确认准芯微公司构成侵权，并判令其停止侵权行为并赔偿损失。
赛芯公司指出，其布图设计是通过技术团队的智力劳动完成的，具有独创性。这些布图设计包括单个NMOS与锂电池控制电路布图于同一晶圆衬底上、实现单功率NMOS的衬底切换电路、衬底切换MOS管镶嵌到功率NMOS管内、衬底切换MOS管与功率NMOS管的大小比例、控制电路中的NMOS管与衬底切换电路匹配、以及包含有过温保护电路，且与NMOS布图于同一晶圆衬底上。司法鉴定确认了这些独创点的独创性。
在认定侵权时，法院采用了实质性相似标准。赛芯公司提交的司法鉴定报告详细比对了被诉侵权芯片与布图设计的各个独创点，鉴定报告明确指出，被诉侵权芯片在功率NMOS管、衬底切换电路等方面与赛芯公司的布图设计存在实质性相似，这种实质性相似被认为是复制行为的有力证据。
此外，赛芯公司还指出，准芯微公司的法定代表人在赛芯公司工作期间接触了相关布图设计产品，这为证明接触和复制提供了重要证据。根据《集成电路布图设计保护条例实施细则》第十五条，如果布图设计在申请日之前没有投入商业利用，则可以含有保密信息，其比例最多不得超过布图设计总面积的50%。赛芯公司通过证明布图设计已经投入商业使用，进一步证实了被告有接触这些设计的可能性。
法院认为，赛芯公司提交的证据充分证明了其布图设计的独创性和被告的复制行为。首先，赛芯公司的布图设计符合独创性要求，司法鉴定报告详细比对了被诉侵权芯片与布图设计的各个独创点，确认了实质性相似。其次，赛芯公司提供的证据表明，准芯微公司有接触和复制布图设计的可能性。基于上述证据，法院认定准芯微公司的行为构成侵权，判令其停止侵权行为并赔偿损失。
芯片行业的尽职调查
芯片行业的尽职调查是企业在保护知识产权、评估研发和生产能力、分析市场竞争力以及确保法律合规性方面不可或缺的一环。通过全面而细致的尽职调查，企业可以有效识别和防范各种风险，在激烈的市场竞争中保持优势地位，从而实现长期可持续发展。
一、芯片行业的四个阶段
芯片行业的开发和生产通常分为四个阶段：设计、制造、封装和测试。
设计阶段：这是芯片研发的初始阶段，涉及电路设计和布图设计。在这一阶段，知识产权保护尤为重要，特别是布图设计的独创性和技术创新。
制造阶段：这一阶段将设计图纸转化为实际芯片，涉及多种复杂的工艺技术。在这一阶段，保护制造工艺的知识产权也是关键。
封装阶段：将制造好的芯片进行封装以便于使用和销售。这一阶段的技术秘密和封装设计也是知识产权保护的重要内容。
测试阶段：对封装好的芯片进行性能和质量测试，以确保产品的可靠性和稳定性。在这一阶段，测试方法和数据也是需要保护的知识产权内容。
在上述（2019）最高法民终490号案件中，涉及的阶段主要是设计阶段和制造阶段。赛芯公司的布图设计是在芯片设计阶段完成的，包括多个独创点的技术创新。赛芯公司提供的布图设计独创性证明了这些设计是在设计阶段通过智力劳动完成的。侵权行为发生在制造阶段，准芯微公司被指控在其生产的芯片中复制了赛芯公司的布图设计。这意味着在制造过程中，准芯微公司使用了赛芯公司的设计来制造芯片，从而构成了侵权。
二、芯片行业尽职调查的关键点
在进行芯片行业尽职调查时，除常规的尽职调查步骤外，应重点关注以下几个方面：
知识产权情况：包括专利、商标、著作权和商业秘密等，确保所有核心技术和设计均受到有效的知识产权保护。
研发能力：评估公司的研发团队和技术水平，确保其具有持续创新和技术开发的能力。
生产能力：检查公司的生产设备和工艺流程，确保其具备高效的生产能力和质量控制体系。
市场竞争力：分析公司的市场份额和竞争对手情况，评估其在行业中的竞争地位。
法律合规性：确保公司在知识产权、环境保护、劳动用工等方面均符合相关法律法规，避免潜在的法律风险。
芯片知识产权侵权认定的要点
一、布图设计的独创性
芯片布图设计的独创性是侵权认定的核心要素之一。根据《集成电路布图设计保护条例实施细则》，受保护的布图设计必须具有独创性，即该布图设计应是创作者通过智力劳动所完成的成果，并且在创作时不是公认的常规设计。
在具体认定过程中，独创点的确认尤为重要。例如，在赛芯公司诉准芯微公司的案例中，赛芯公司提出了六个独创点，并通过司法鉴定确认这些独创点具备独创性。这些独创点包括：
单个NMOS与锂电池控制电路布图于同一晶圆衬底上。
实现单功率NMOS的衬底切换电路。
衬底切换MOS管镶嵌到功率NMOS管内。
衬底切换MOS管与功率NMOS管的大小比例。
控制电路中的NMOS管与衬底切换电路匹配。
包含有过温保护电路，且与NMOS布图于同一晶圆衬底上。
赛芯公司通过提交布图设计的详细说明和分析意见，固定了其独创点的内容，从而证明了其布图设计的独创性。
二、侵权芯片与布图设计的比对
在认定侵权时，实质性相似是关键标准之一。通过详细的鉴定报告，比对被诉侵权芯片与布图设计的各个独创点，以确认两者的相似性或相同。例如，在赛芯公司的案例中，鉴定报告详细比对了功率NMOS管、衬底切换电路等内容，明确了被诉侵权芯片与赛芯公司布图设计的实质性相似。
此外，还需细致分析和比对芯片的各个层次的技术细节，包括MOS管的布图、过温保护电路等。鉴定报告应覆盖每个技术细节，以支持侵权判断。
三、接触和复制的可能性
证明被告有接触原告布图设计的可能性并复制了布图设计，也是侵权认定的重要环节。例如，赛芯公司指出，准芯微公司的法定代表人在赛芯公司工作期间接触了布图设计产品，证明了接触和复制的可能性。
根据《集成电路布图设计保护条例实施细则》第十五条，如果布图设计在申请日之前没有投入商业利用，则可以含有保密信息，其比例最多不得超过布图设计总面积的50%。赛芯公司通过证明布图设计已经投入商业使用，进一步证实了被告有接触这些设计的可能性。
四、海外案例参考
在国际范围内，芯片知识产权侵权的认定也有很多成功的案例。比如，美国的“Advanced Micro Devices, Inc. v. Intel Corporation”案件中，AMD成功证明了Intel在其芯片设计上存在侵权行为，通过详细的技术比对和商业接触证据，最终获得了赔偿。
此外，日本的“NEC Corporation v. Samsung Electronics Co., Ltd.”案件中，NEC通过对Samsung芯片设计的独创性和技术细节进行详细鉴定，成功证明了侵权事实，维护了自身的知识产权。
总结
芯片行业知识产权侵权的认定涉及布图设计的独创性、侵权芯片与布图设计的比对、接触和复制的可能性等多个关键点。在诉讼过程中，需通过详细的证据和专业的鉴定报告，证明侵权事实，以更好地应对知识产权侵权纠纷，保护企业的核心利益。通过系统而深入的尽职调查，企业能够在快速发展的市场中保持竞争优势，实现可持续发展。
